XBC300 Gen2 D2W/W2W

  一、創(chuàng)基于200mm和300mm襯底的混合鍵合一體設(shè)備

  新型的 XBC300 Gen2 D2W/W2W 設(shè)備是世界上將所有現(xiàn)有混合鍵合工藝集成到單一設(shè)備中的平臺： W2W、集體 D2W 和順序 D2W。XBC300 Gen2 D2W/W2W 是蘇斯微技術(shù)公司與高精度倒裝芯片鍵合機(jī)供應(yīng)商 SET Corporation SA 合作開發(fā)的成果。與傳統(tǒng)的獨立式 W2W 和 D2W 平臺相比，XBC300 Gen2 D2W/W2W 的占地面積顯著減少。投資成本大大降低，因為在獨立系統(tǒng)中冗余的工藝模塊只使用一次。XBC300 Gen2 D2W/W2W 是一個功能強(qiáng)大、高度靈活的通用平臺，可提高混合鍵合工藝的開發(fā)，適用于系統(tǒng)級芯片 (SoC) 和堆疊集成電路 (SIC) 等高級三維堆疊應(yīng)用與我們的合作伙伴 SET 密切合作開發(fā)。

二、 XBC300 Gen2 D2W/W2W 專為研發(fā)線或 RTOs（研發(fā)和技術(shù)組織）的需求量身定制，這些研發(fā)機(jī)構(gòu)或 RTOs 期望首先專注于一種工藝，但同時希望在未來開發(fā)更多的混合鍵合工藝。所有工藝開發(fā)都采用類似的核心技術(shù)，并配有用于 D2W 和 W2W 的專用獨立系統(tǒng)。這樣就可以方便可靠地從研發(fā)轉(zhuǎn)向小批量和大批量生產(chǎn)。

  三、除了具有業(yè)界的 < +/- 50nm 對準(zhǔn)精度的 W2W 鍵合所需工藝模塊外，XBC300Gen2 D2W/W2W 還具有技術(shù)合作伙伴 SET Corporation SA 提供的集成 NEO HB 芯片鍵合機(jī)，可提供 +/-100nm 的對準(zhǔn)精度。高精度和吞吐量優(yōu)化的測量模塊可在線驗證所有工藝中 W2W 和 D2W 鍵合的對準(zhǔn)精度。XBC300Gen2 D2W/W2W 以 XBC300 Gen2 為基礎(chǔ)，可處理框架載體上的超薄微芯片。

  四、支持的粘合技術(shù):

1.混合鍵合:混合鍵合指的是兩種金屬層的熱壓鍵合與熔融鍵合混合進(jìn)行的鍵合方法。該工藝過程中會同時產(chǎn)生一種電力（金屬鍵合）和機(jī)械力熔融鍵合。

2.熱鍵合:熱鍵合是指兩個平面基板自發(fā)粘合。 該工藝包括沖洗拋光盤，使其具備高度親水性，然后使其相互接觸并在高溫下回火。

等離子體預(yù)處理工藝可使基板在室溫條件下鍵合。

  五、模塊詳細(xì)情況 :

1.MHU 物料輸送裝置:該系統(tǒng)可將單個基板運送到單個工藝模塊。它提供不同配置的裝載工位以及基于攝像頭的光學(xué)預(yù)對準(zhǔn)器，并可選配 ID 讀取器。選配的攝像系統(tǒng)可監(jiān)控和記錄機(jī)器內(nèi)部情況。帶有自動產(chǎn)量優(yōu)化功能的循環(huán)調(diào)度算法可確保所有工序的時間安排一致，并具備連續(xù)運行能力。

2.XBA 鍵合對準(zhǔn)器:XBA 鍵合對準(zhǔn)器采用我們專有的基底間對準(zhǔn) (ISA) 技術(shù)，可為透明或非透明基底提供一致的亞微米對準(zhǔn)精度。內(nèi)置的固定基準(zhǔn)、全局校準(zhǔn)和疊加驗證確保了的可重復(fù)性。全局校準(zhǔn)晶片是系統(tǒng)不可分割的一部分，使自動校準(zhǔn)和疊加驗證變的簡單快捷。W2W 鍵合采用蘇斯微技術(shù)公司的工藝，以高度受控和可重復(fù)的方式進(jìn)行。

3.清洗模塊:清洗模塊具有許多關(guān)鍵功能，是實現(xiàn)清潔度要求的一部分，例如兆聲清洗和濕化學(xué)功能（例如 NH4OH (<2 %)）。此外，該系統(tǒng)還可配備增強(qiáng)型可選功能，如有機(jī)物去除功能（SC1 化學(xué)清洗）、背面沖洗、氧化銅去除和 N2 輔助吹干，以進(jìn)一步滿足加工需求。

4.活化模塊:等離子活化技術(shù)為基于等離子體的高效基底表面活化提供了的工藝靈活性和可重復(fù)性。可使用 Ar、O?、N? 等各種工藝氣體，并通過質(zhì)量流量控制器 (MFC) 進(jìn)行控制。通過門閥加載，可以符合 CMOS 標(biāo)準(zhǔn)。適當(dāng)選擇等離子體化學(xué)成分，還可以對聚合物殘留物進(jìn)行等離子體清洗。

5.低力度鍵合室:如果對鍵合力有要求，XBS300可搭備我們經(jīng)業(yè)界認(rèn)可的300mm低力度鍵合室，施加高達(dá)15kN的鍵合力。 如今，這種鍵合室廣泛應(yīng)用于臨時鍵合行業(yè)中。

6.集成測量模塊:

集成的原位測量功能可實現(xiàn)快速工藝反饋。 因此，該測量模塊對于增強(qiáng)工藝控制和提高產(chǎn)量至關(guān)重要。 該模塊可配置用于紅外空洞檢測（高分辨率真實全場圖像）和/或高精度紅外套刻測量，在高處理量下具備多站點功能。

通過對鍵合對準(zhǔn)器補償參數(shù)的閉環(huán)反饋實現(xiàn)的在線工藝控制還能持續(xù)優(yōu)化套刻性能。

7.芯片鍵合機(jī):SET Corporation SA 的 NEO HB 是的倒裝芯片鍵合機(jī)，適用于各種幾何形狀的芯片。業(yè)界的清潔度和對準(zhǔn)性能確保了高速的 D2W 傳輸操作。極低的芯片間距（低至 40µm）可在需要時在目標(biāo)基板上實現(xiàn)高芯片密度。蘇斯微技術(shù)公司和 SET 攜手合作，優(yōu)化系統(tǒng)性能，為客戶提供靈活的系統(tǒng)解決方案，滿足未來需求。